您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

一键发布采购 上传BOM
上传BOM文件: BOM文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
应用领域:

有效期:
OEM清单文件: OEM清单文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
有效期:
您现在的位置:首页 > N字母型号搜索 > N字母第48页 > NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G中文资料

NTJD1155LT1G图片

NTJD1155LT1G外观图

  • 大小:110KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:8V; Continuous Drain Current, Id:1.3A; On Resistance, Rds(on):175mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:6-SOT-363 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:175 毫欧 @ 1.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:400mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SOT-363
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTJD1155LT1GOSTR

NTJD1155LT1G供应商

更新时间:2023-01-09 18:33:31
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购NTJD1155LT1G进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

免责声明:以上所展示的NTJD1155LT1G信息由会员自行提供,NTJD1155LT1G内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买NTJD1155LT1G产品风险,建议您在购买NTJD1155LT1G相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"委托宝交易服务",买卖都安全。